Москва +7 (499) 613-7001
Контакты
Москва +7 (499) 613-7001
Санкт-Петербург +7 (812) 971-5100
Екатеринбург +7 (343) 382-0692
Altium Designer. Опыт работы по проектированию многослойных высокочастотных печатных плат и плат повышенной плотности.
Показать место проведения курса
Адрес: г. Москва, Варшавское шоссе, д. 11
Как пройти:
Проезд на метро до станции «Тульская». Первый вагон из центра, выход в сторону платформы ЗИЛ. Пройти под железнодорожным мостом и следовать вдоль трамвайных путей по тротуару до входа в кварталы Даниловской Мануфактуры. Перпендикулярно отелю «АЗИМУТ» находится здание УЦ – Варшавское шоссе, дом 11. Подняться на второй этаж, слева дверь с табличкой офис 207 «Учебный центр ТРЕНЕР-ИТ». Нажмите на кнопку домофона.
загрузка карты...
Автор программы и ведущий преподаватель: к.т.н. Пранович В. И.
Цель: совершенствование приемов работы с программой Altium Designer.Категории слушателей: разработчики и конструкторы, прошедшие начальное обучение по программе «Работа с пакетом САПР Altium Designer» (базовый уровень).
Срок обучения: 18 академических часов с включением практических занятий и выполнения итоговой работы.
Форма обучения: очная с отрывом от производства.
Режим занятий: 6 академических часов ежедневно.
|
№
п/п
|
Наименование разделов, дисциплин и тем | Всего часов | По видам обучения |
Форма
контроля
|
|
| лекции |
практические
занятия
|
||||
| 1 |
Определение. LayerStack. Расчет волнового сопротивления и структура слоев. Слои типа Plane. Виды переходных отверстий и задание слоев, между которыми разрешены переходные отверстия.
|
2 | 1 | 1 | |
| 2 |
Классы и правила. Способы и приемы задания классов на схеме. Задание классов в PCB. Правила и принцип из задания. Приоритет в правилах. Проверка действующего правила на выбранные объекты.
|
2 | 1 | 1 | |
| 3 |
Дифференциальные линии. Правила для дифференциальных линий. Определение слоев для них. Правила зазоров для дифференциальных линий других объектов. Полигоны и дифференциальные линии. Контроль длины внутри дифференциальной линии и между дифференциальными линиями. Ограничение максимальной длины. Острые углы и дифференциальные линии. Изменение параметров дифференциальных линий в области повышенной плотности.
|
3 | 2 | 1 | * |
| 4 |
Использование микро, скрытых и погребенных переходных отверстий. Контроль технологических параметров ПО. Виды и способы подключения к полигонам, слоям Plane. Закрытие и вскрытие маской. Использование и запрет ПО внутри площадок. ПО внутри термоотводящих площадок. Запрет изменения положения ПО при интерактивной работе. Запрет и разрешение совмещения микро и скрытых ПО. Применение Fonout.
|
3 | 1 | 2 | * |
| 5 | Примеры – DDR2. Пример – Выравнивание длин. 2 и более микросхем. Т-образные соединения. Классы From-to. Контроль длин от точки до точки. Целостность Plane. | 4 | 2 | 2 | * |
| 6 | Скоростные дифференциальный линии. Учет суммарной длины. Модификация Footprint для снижения паразитной емкости. Примеры и модификация многослойных скоростных проектов печатных плат. | 4 | 2 | 2 | * |
| ИТОГО: | 18 | 9 | 9 | ** | |
Примечания:
* Проверка и анализ выполнения практических и лабораторных работ.
** Индивидуальное зачетное задание является совокупностью практических и лабораторных работ, выполненных в процессе изучения материала.
Обратная связь
Оставьте Ваши данные и мы свяжемся с Вами